膜種
成膜方法
Φ
対応可能膜厚
Min 受注枚数
プラズマTEOS
プラズマCVD
6〜12
〜1μm以上
25枚〜
BPSG
AP-CVD
6〜12
〜2μm以上
25枚〜
TiN
スパッター
6〜12
〜2,000Å以上
25枚〜
Ti
スパッター
6〜12
〜2,000Å以上
25枚〜
W (※1)
スパッター
6〜12
〜1μm以上
25枚〜
Wsi
スパッター
1μm以上
Al
スパッター
6〜12
〜1μm以上
25枚〜
Cu (※1)
スパッター
6〜12
〜1μm以上
25枚〜
Si3N4
プラズマ&LP
6〜12
〜1μm；5,000Å以上
25枚〜
Poly-Si (doped)
LP-CVD
6〜12
〜<5,000Å以上
25枚〜
Poly-Si (non-doped)
LP-CVD
6〜12
〜<5,000Å以上
25枚〜
※1：要 下地膜
※：他の膜も加工 可能です。
貴社名
ご担当者(部署名)
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E-mail
項目（Item）
仕様（Specification）
*製造方法(Process)
CZ
FZ
MCZ
*導電型
(Conductivity type)
P
N
*ドープ材(Dopant)
Boron
Phos
Sb
As
*結晶方向
(1-0-0)
(1-1-1) (
)°+/- (
)°
比抵抗(Resistivity)
(
) 〜 (
) ΩCm
直径(Diameter)
(
) +/- (
) mm
厚み(Thickness)
(
)+/- (
)μm
*面状態
(Surface Condition)
表面(One Side)
As Cut
Lapped
Etched
Mirror Polished
裏面(Another Side)
As Cut
Lapped
Etched
Mirror Polished
オリエンテーションフラット
Orientation flat
位置 (
) (
)°+/- (
)°
長さ (
) +/- (
) mm
*面取
(Edge grinding)
要
不要
数量(Quantitiy)
枚
その他必要事項
＜再生加工 Si Water 仕様書＞
項目(Item)
仕様(Specification)
直径(Diameter)
(
) +/- (
) mm
取代(膜材質)
μm
膜材質
＜その他お問い合わせなど＞
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