シリコンに比べてバンドキャップ幅が約3倍広く、熱伝導率も約3倍高いという特性を持ってます。
また、絶縁破壊に至る電界強度も約10倍大きく、様々なパワー半導体の他、RFアンプや発光ダイオード(LED)の基板としても使用されています。

SiCウエハー提供元

項目 A社
ウエハーサイズ 6インチ 8インチ
タイプ Production Dummy Production Dummy
ポリタイプ 4H 4H
抵抗率 N型 N型
ウエハー厚み 350±25μm 500±25μm
マイクロパイプ密度(結晶欠陥) ≤0.2ea/cm2 ≤10ea/cm2 ≤2ea/cm2 ≤50ea/cm2
LTV ≤3μm ≤10μm ≤5μm ≤10μm
TTV ≤5μm ≤15μm ≤10μm ≤15μm
Bow -25~25μm -45~45μm -25~25μm -65~65μm
Warp ≤35μm ≤55μm ≤30μm ≤70μm
項目 B社
ウエハーサイズ 6インチ 8インチ
タイプ P-MOS P-SBD Dummy Production Dummy
ポリタイプ 4H 4H
抵抗率 N型 N型
ウエハー厚み 350±25μm 500±25μm
マイクロパイプ密度(結晶欠陥) ≤0.2ea/cm2 ≤0.5ea/cm2 ≤5ea/cm2 ≤1ea/cm2 ≤5ea/cm2
LTV ≤2μm ≤2μm ≤3μm ≤3μm ≤5μm
TTV ≤6μm ≤6μm ≤10μm ≤10μm ≤10μm
Bow ≤15μm ≤25μm ≤40μm ≤25μm ≤40μm
Warp ≤25μm ≤40μm ≤60μm ≤40μm ≤60μm
項目 A社 B社
ウエハーサイズ 6インチ 6インチ
タイプ Production Production
抵抗率 高純度半絶縁性 高純度半絶縁性
比抵抗(RT) ≥1E8Ω·cm ≥1E8Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤0.5ea/cm2 ≤0.5ea/cm2
ウエハー厚み 500±25μm 500±25μm
LTV ≤5μm ≤5μm
TTV ≤3μm ≤3μm
Bow -25~25μm -25~25μm
Warp ≤35μm ≤35μm

A社 SiCウエハー

8インチ N型 Production 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
ドーパント Nタイプ 窒素
比抵抗(RT) 0.015-0.025Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤2ea/cm2
TSD ≤500ea/cm2
BPD ≤2,000ea/cm2
TED ≤7,000ea/cm2
金属含有 ≤1E11atoms/cm2
ウエハーサイズ 200mm±0.2mm
ウエハー厚み 500±25μm
LTV ≤5μm
TTV ≤10μm
Bow -25~+25μm
Warp ≤30μm
AFM Ra≤0.2μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±5°
Notch深さ 1~1.5mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面MP

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

8インチ N型 Dummy 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
ドーパント Nタイプ 窒素
比抵抗(RT) N/A
マイクロパイプ密度 ≤50ea/cm2
TSD N/A
BPD N/A
TED N/A
金属含有 N/A
ウエハーサイズ 200mm±0.2mm
ウエハー厚み 500±25μm
LTV ≤10μm
TTV ≤15μm
Bow -65~+65μm
Warp ≤70μm
AFM Ra≤0.2μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±5°
Notch長さ 1~1.5mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面MP

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

6インチ N型 Production 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.15°
ドーパント Nタイプ 窒素
比抵抗(RT) 0.015-0.025Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤0.2ea/cm2
TSD ≤300ea/cm2
BPD ≤1,500ea/cm2
金属含有 ≤5E10atoms/cm2
ウエハーサイズ 150mm±0.2mm
ウエハー厚み 350±25μm
LTV ≤3μm
TTV ≤5μm
Bow -25~+25μm
Warp ≤35μm
AFM Ra≤0.2μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±5°
Notch長さ 47.5mm±1.5mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面polished

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

6インチ N型 Dummy 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.15°
ドーパント Nタイプ 窒素
比抵抗(RT) 0.015-0.025Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤10ea/cm2
TSD N/A
BPD N/A
金属含有 N/A
ウエハーサイズ 150mm±0.2mm
ウエハー厚み 350±25μm
LTV ≤10μm
TTV ≤15μm
Bow -45~+45μm
Warp ≤55μm
AFM Ra≤0.2μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±5°
Notch長さ 47.5mm±1.5mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面polished

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

6インチ高純度半絶縁性ウエハー 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
比抵抗(RT) ≥1E8Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤0.5ea/cm2
ウエハーサイズ 150mm±0.2mm
ウエハー厚み 500±25μm
LTV ≤5μm
TTV ≤3μm
Bow -25~+25μm
Warp ≤35μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±5°
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面Optical Polish

B社 SiCウエハー

8インチ N型 Production 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward
<11-20>±0.5°
比抵抗(RT) 0.015-0.028Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤1ea/cm2
EPD ≤8,000ea/cm2
TED ≤6,000ea/cm2
TSD ≤1,000ea/cm2
BPD ≤2,000ea/cm2
金属含有 ≤1E11atoms/cm2
ウエハーサイズ 200mm+0mm/-0.5mm
ウエハー厚み 500±25μm
LTV ≤3μm
TTV ≤10μm
Bow ≤25μm
Warp ≤40μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±1°
Notch角度 90°+5°/-1°
Notch深さ 1mm+0.25mm/-0mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面Optical Polish

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

8インチ N型 Dummy  4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
比抵抗(RT) 0.014-0.028Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤5ea/cm2
EPD N/A
TED N/A
TSD N/A
BPD N/A
金属含有 ≤1E11atoms/cm2
ウエハーサイズ 200mm+0mm/-0.5mm
ウエハー厚み 500±25μm
LTV ≤5μm
TTV ≤10μm
Bow ≤40μm
Warp ≤60μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±1°
Notch角度 90°+5°/-1°
Notch深さ 1mm+0.25mm/-0mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面Optical Polish

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

6インチ N型 P-MOS 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
比抵抗(RT) 0.015-0.025Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤0.2ea/cm2
EPD ≤4,000ea/cm2
TED ≤3,000ea/cm2
TSD ≤600ea/cm2
BPD ≤1,000ea/cm2
金属含有 ≤1E11atoms/cm2
ウエハーサイズ 150mm+0mm/-0.2mm
ウエハー厚み 350±25μm
LTV ≤2μm
TTV ≤6μm
Bow ≤15μm
Warp ≤25μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 4°toward<11-20>±1°
Notch長さ 47.5mm±1.5mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面Optical Polish

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

6インチ N型 P-SBD 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
比抵抗(RT) 0.015-0.025Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤0.5ea/cm2
EPD ≤8,000ea/cm2
TED ≤6,000ea/cm2
TSD ≤1,000ea/cm2
BPD ≤2,000ea/cm2
金属含有 ≤1E11atoms/cm2
ウエハーサイズ 150mm+0mm/-0.2mm
ウエハー厚み 350±25μm
LTV ≤2μm
TTV ≤6μm
Bow ≤25μm
Warp ≤40μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 4°toward<11-20>±1°
Notch長さ 47.5mm±1.5mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面Optical Polish

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

6インチ N型 Dummy 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
比抵抗(RT) 0.014-0.028Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤5ea/cm2
EPD N/A
TED N/A
TSD N/A
BPD N/A
金属含有 ≤1E11atoms/cm2
ウエハーサイズ 150mm+0mm/-0.2mm
ウエハー厚み 350±25μm
LTV ≤3μm
TTV ≤10μm
Bow ≤40μm
Warp ≤60μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 4°toward<11-20>±1°
Notch長さ 47.5mm±1.5mm
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面Optical Polish

金属含有:Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pd,Na,K,Ti,Ca,V,Mn等

6インチ高純度半絶縁性ウエハー 4H-SiC

項目 仕様
ポリタイプ 4H
比抵抗(RT) ≥1E8Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤0.5ea/cm2
ウエハーサイズ 150mm±0.2mm
ウエハー厚み 500±25μm
LTV ≤5μm
TTV ≤3μm
Bow -25~+25μm
Warp ≤35μm
プライマリーフラット Notch
Notch方位 <1-100>±5°
表面処理 Si面CMP
裏面処理 C面Optical Polish

SiCウェハとは

SiCウェハーとは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種で、SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」のことです。

より高度な半導体デバイスを製造するために生み出されたSiCウェハーは、従来のシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。

例えば、絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍の能力があり、それだけ高い電界をかけても壊れにくいのです。

また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍あるため、熱に強い機器の製造に役立っています。

回路が高温になると、電子は熱エネルギーによってバンドギャップを越えることができますが、広いバンドギャップを越えるためには多くの熱エネルギーが必要になるため、機器の動作上限温度を向上させるメリットがあるのです。

さらに、SiCはシリコンよりも熱伝導率が高いため放熱性に優れていることも、高温に強い機器の製造に役立っています。

このような高いポテンシャルを持っているSiCウェハーは、近年の高度な電子機器の主要回路として欠かせないパワー半導体や、高輝度のLEDなどに使用されています。

しかしSiCは硬くて脆い素材のため、SiCウェハーの製造には非常に高度な技術が必要で、加工に時間がかかるなどの問題点を抱えています。

現在、より生産性を向上させ市場価格を抑えるための加工技術が盛んに研究されており、将来の導入が期待されています。