SiCウェハー 6インチ P-MOSグレード(4H-SiC・要見積り)
商品コード SIC-150-PMOS-Q
要見積り
この商品について
P-MOSグレードの高品質デバイス用SiCウェハーは個別お見積り制とさせていただいております。
ご使用プロセス・ロット数・仕様をご連絡いただければ、最適なグレードをご提案します。
仮仕様(6インチ × 4H-SiC P-MOS)
| ポリタイプ |
4H |
| 表面方位 |
4°toward<11-20>±0.5° |
| 導電型 |
N型 |
| 比抵抗(RT) |
0.015-0.025Ω·cm |
| マイクロパイプ密度 |
≤0.2 ea/cm² |
| EPD / TED |
≤4,000 / ≤3,000 ea/cm² |
| BPD |
≤1,000 ea/cm² |
| ウェハーサイズ / 厚み |
150mm / 350±25μm |
| LTV / TTV |
≤2μm / ≤6μm |
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数量:
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