SiCウェハー 6インチ P-MOSグレード(4H-SiC・要見積り)
商品コード SIC-150-PMOS-Q
要見積り

この商品について

P-MOSグレードの高品質デバイス用SiCウェハーは個別お見積り制とさせていただいております。

ご使用プロセス・ロット数・仕様をご連絡いただければ、最適なグレードをご提案します。

仮仕様(6インチ × 4H-SiC P-MOS)

ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
導電型 N型
比抵抗(RT) 0.015-0.025Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤0.2 ea/cm²
EPD / TED ≤4,000 / ≤3,000 ea/cm²
BPD ≤1,000 ea/cm²
ウェハーサイズ / 厚み 150mm / 350±25μm
LTV / TTV ≤2μm / ≤6μm

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