SiCウェハー 8インチ N型 Production（4H-SiC）
商品コード SIC-200-PRD-01
要見積り
主な用途
- パワー半導体デバイス開発（SiC-MOSFET / SBD）
- 装置の条件出し・パラメータ調整
- RFアンプ・LED基板研究用
- 研究用エピタキシャル成長基板
製品仕様
| 項目 |
仕様 |
| ポリタイプ |
4H |
| 表面方位 |
4°toward<11-20>±0.5° |
| 導電型 |
N型（窒素ドープ） |
| 比抵抗(RT) |
0.015-0.025Ω·cm |
| ウェハーサイズ |
200mm±0.2mm |
| ウェハー厚み |
500±25μm |
| マイクロパイプ密度 |
≤2 ea/cm² |
| TSD / BPD / TED |
≤500 / ≤2,000 / ≤7,000 ea/cm² |
| 金属含有 |
≤1E11 atoms/cm² |
| LTV / TTV |
≤5μm / ≤10μm |
| Bow / Warp |
-25〜+25μm / ≤30μm |
| 表面処理 / 裏面処理 |
Si面CMP / C面MP |
| プライマリーフラット |
Notch（<1-100>±5°, 深さ1〜1.5mm） |
納期・最小ロット
通常 1〜2週間（在庫状況により変動）。1枚から購入可能。25枚／50枚の単位包装にも対応。
ご注意
- 開封後の返品はお受けできません
- 静電気対策のうえお取扱いください
- 大ロット・特殊仕様はお見積りフォームからご相談ください
数量：
在庫切れ
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