回路が高温になると、電子は熱エネルギーによってバンドギャップを越えることができますが、広いバンドギャップを越えるためには多くの熱エネルギーが必要になるため、機器の動作上限温度を向上させるメリットがあるのです。

さらに、SiCはシリコンよりも熱伝導率が高いため放熱性に優れていることも、高温に強い機器の製造に役立っています。

このような高いポテンシャルを持っているSiCウェハーは、近年の高度な電子機器の主要回路として欠かせないパワー半導体や、高輝度のLEDなどに使用されています。しかしSiCは硬くて脆い素材のため、SiCウェハーの製造には非常に高度な技術が必要で、加工に時間がかかるなどの問題点を抱えています。

現在、より生産性を向上させ市場価格を抑えるための加工技術が盛んに研究されており、将来の導入が期待されています。