シリコンウェハーの製造及び販売、各種薄膜成膜加工

パワーデバイス装置向け
8インチSiCウェハーを提供

どんなご要望でもぜひご相談ください。

PRODUCTS

A社 SiCウエハー

8インチ N型 Production 4H-SiC

項 目 仕 様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
ドーパント Nタイプ 窒素
比抵抗(RT) 0.015-0.025Ω·cm
マイクロパイプ ≤2ea/cm2
TSD ≤500ea/cm2
BPD ≤2,000ea/cm2

8インチ N型 Dummy 4H-SiC

項 目 仕 様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
ドーパント Nタイプ 窒素
比抵抗(RT) N/A
マイクロパイプ ≤2ea/cm2
TSD N/A
BPD N/A

6インチ N型 Production 4H-SiC

6インチ N型 Dummy 4H-SiC

6インチ高純度半絶縁性ウエハー 4H-SiC

B社 SiCウエハー

8インチ N型 Dummy 4H-SiC

項 目 仕 様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward <11-20>±0.5°
比抵抗(RT) 0.015-0.028Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤1ea/cm2
EPD ≤8,000ea/cm2
TED ≤6,000ea/cm2
BTSD ≤1,000ea/cm2

8インチ N型 Dummy 4H-SiC

項 目 仕 様
ポリタイプ 4H
表面方位 4°toward<11-20>±0.5°
比抵抗(RT) 0.014-0.028Ω·cm
マイクロパイプ密度 ≤5ea/cm2
EPD N/A
TED N/A
BTSD N/A

6インチ N型 P-MOS 4H-SiC

6インチ N型 P-SBD 4H-SiC

6インチ N型 Dummy 4H-SiC

6インチ高純度半絶縁性ウエハー 4H-SiC

MERIT価格が高くても8インチSiCウェハーを
使用するメリット

MERIT01

デバイス性能

高温下や高電力密度でも安定した動作が可能

MERIT02

寿命

耐熱性や耐放射線性に優れているため、環境変化にも強い

MERIT03

信頼性

長期間の使用でも性能が維持されるため、不良品の発生率が低下

MERIT04

競争力

顧客からの信頼獲得により、市場での競争力を高めることができる

4インチ/4H-Nタイプ

4インチ/4H-Nタイプ

オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
4°±0.5° プロダクション
リサーチ
ダミー
≦1cm-2
≦30cm-2
≦50cm-2
350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
厚さ 表面加工仕上げ
350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)

3インチ/4H-Nタイプ

3インチ/4H-Nタイプ

オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
4°±0.5°
0°±0.5°
プロダクション
リサーチ
ダミー
≦1cm-2
≦30cm-2
≦50cm-2
350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
厚さ 表面加工仕上げ
350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)

3インチ/6H-半絶縁性

3インチ/6H-半絶縁性

オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
0°±0.5° プロダクション
リサーチ
ダミー
≦1cm-2
≦30cm-2
≦50cm-2
350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
厚さ 表面加工仕上げ
350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)

2インチ/4H-Nタイプ

2インチ/4H-Nタイプ

オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
4°±0.5°
0°±0.5°
プロダクション
リサーチ
ダミー
≦1cm-2
≦30cm-2
≦50cm-2
330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
厚さ 表面加工仕上げ
330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)

2インチ/6H-Nタイプ

2インチ/6H-Nタイプ

オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
0°±0.5° プロダクション
リサーチ
ダミー
≦1cm-2
≦30cm-2
≦50cm-2
330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
厚さ 表面加工仕上げ
330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)

2インチ/6H-半絶縁性

2インチ/6H-半絶縁性

オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
0°±0.5° プロダクション
リサーチ
ダミー
≦1cm-2
≦30cm-2
≦50cm-2
330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
厚さ 表面加工仕上げ
330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)

CHECK POINT

安価で高性能なシステムの実現が可能

SiCウェハーは、シリコンに比べてバンドキャップ幅が3広く、熱伝導率も3高いという特性を持ってます。

また、絶縁破壊に至る電界強度も約10倍大きく、様々なパワー半導体の他、 RFアンプや発光ダイオード(LED)の基板としても使用されています。

適用範囲も格段に拡大

REASONパワーデバイス製造企業様に選ばれる理由

安価

多くの仕入れルートを
確保しています

取扱製品の豊富さ

さまざまな製品の
提供が可能です

29年の実績

常にスピード提供を
こころがけています

INTRODUCTION

8インチSiCウエハーは車載用途、インバーター等のパワーデバイス
装置製造において需要が急速に高まりつつあります。
MCO株式会社は2.3.4.6.8インチSiCウエハーを取り扱っており、
現在8インチSiCウエハーの安定的な供給を実現しています。

SiCウェハーとは

ABOUT SiC AFER

SiCウェハーとは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種で、SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」のことです。より高度な半導体デバイスを製造するために生み出されたSiCウェハーは、従来のシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。

例えば、絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍の能力があり、それだけ高い電界をかけても壊れにくいのです。 また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍あるため、熱に強い機器の製造に役立っています。

回路が高温になると、電子は熱エネルギーによってバンドギャップを越えることができますが、広いバンドギャップを越えるためには多くの熱エネルギーが必要になるため、機器の動作上限温度を向上させるメリットがあるのです。

さらに、SiCはシリコンよりも熱伝導率が高いため放熱性に優れていることも、高温に強い機器の製造に役立っています。

このような高いポテンシャルを持っているSiCウェハーは、近年の高度な電子機器の主要回路として欠かせないパワー半導体や、高輝度のLEDなどに使用されています。しかしSiCは硬くて脆い素材のため、SiCウェハーの製造には非常に高度な技術が必要で、加工に時間がかかるなどの問題点を抱えています。

現在、より生産性を向上させ市場価格を抑えるための加工技術が盛んに研究されており、将来の導入が期待されています。

CONTACTお見積り・お問い合わせ

下記フォームに必要事項をご記入のうえ、
送信してください。
の項目は入力必須となっております。




    COMPANY会社概要

    エムシーオー株式会社は1994年の創業以来、シリコンウエハーの製造販売及び各種シリコンや金属水晶などの
    薄膜成膜加工、石英加工、及びICファンダリの販売を行っています。迅速と信頼で皆様のご要望にお応えします。

    商号
    エムシーオー株式会社
    設立
    1994年5月
    本店
    〒221-0834
    神奈川県横浜市神奈川区台町7-21 藤和台町コープ202号
    Tel. 045-324-6828 Fax.045-313-9967
    代表者
    代表取締役 村田充弘
    HOME PAGE
    https://www.mco-mm.jp/
    Email
    mco@leaf.ocn.ne.jp
    資本金
    1,000万円
    事業内容
    • シリコンウエハーの製造及び販売
    • 各種薄膜成膜加工(シリコン、金属、水晶、他)
    • 各種加工(シリコン、石英、他)
    • ICファンダリ販売
    • サファイアウェハーの製造及び販売
    • カーボン製品のの製造及び販売
    取引銀行
    みずほ銀行 横浜駅前支店
    城南信用金庫 六角橋支店
    三菱東京UFJ銀行 横浜駅前支店
    関連会社
    MALLTECH CO.,LTD. (M&M;)
    エムシーエムデバイス(株)