項 目 | 仕 様 |
---|---|
ポリタイプ | 4H |
表面方位 | 4°toward<11-20>±0.5° |
ドーパント | Nタイプ 窒素 |
比抵抗(RT) | 0.015-0.025Ω·cm |
マイクロパイプ | ≤2ea/cm2 |
TSD | ≤500ea/cm2 |
BPD | ≤2,000ea/cm2 |
項 目 | 仕 様 |
---|---|
ポリタイプ | 4H |
表面方位 | 4°toward<11-20>±0.5° |
ドーパント | Nタイプ 窒素 |
比抵抗(RT) | N/A |
マイクロパイプ | ≤2ea/cm2 |
TSD | N/A |
BPD | N/A |
項 目 | 仕 様 |
---|---|
ポリタイプ | 4H |
表面方位 | 4°toward <11-20>±0.5° |
比抵抗(RT) | 0.015-0.028Ω·cm |
マイクロパイプ密度 | ≤1ea/cm2 |
EPD | ≤8,000ea/cm2 |
TED | ≤6,000ea/cm2 |
BTSD | ≤1,000ea/cm2 |
項 目 | 仕 様 |
---|---|
ポリタイプ | 4H |
表面方位 | 4°toward<11-20>±0.5° |
比抵抗(RT) | 0.014-0.028Ω·cm |
マイクロパイプ密度 | ≤5ea/cm2 |
EPD | N/A |
TED | N/A |
BTSD | N/A |
デバイス性能
高温下や高電力密度でも安定した動作が可能
寿命
耐熱性や耐放射線性に優れているため、環境変化にも強い
信頼性
長期間の使用でも性能が維持されるため、不良品の発生率が低下
競争力
顧客からの信頼獲得により、市場での競争力を高めることができる
オフ角度 | グレード | マイクロバイブ数 | 厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|---|---|---|
4°±0.5° | プロダクション リサーチ ダミー |
≦1cm-2 ≦30cm-2 ≦50cm-2 |
350±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|
350±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
オフ角度 | グレード | マイクロバイブ数 | 厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|---|---|---|
4°±0.5° 0°±0.5° |
プロダクション リサーチ ダミー |
≦1cm-2 ≦30cm-2 ≦50cm-2 |
350±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|
350±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
オフ角度 | グレード | マイクロバイブ数 | 厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|---|---|---|
0°±0.5° | プロダクション リサーチ ダミー |
≦1cm-2 ≦30cm-2 ≦50cm-2 |
350±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|
350±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
オフ角度 | グレード | マイクロバイブ数 | 厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|---|---|---|
4°±0.5° 0°±0.5° |
プロダクション リサーチ ダミー |
≦1cm-2 ≦30cm-2 ≦50cm-2 |
330±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|
330±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
オフ角度 | グレード | マイクロバイブ数 | 厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|---|---|---|
0°±0.5° | プロダクション リサーチ ダミー |
≦1cm-2 ≦30cm-2 ≦50cm-2 |
330±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|
330±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
オフ角度 | グレード | マイクロバイブ数 | 厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|---|---|---|
0°±0.5° | プロダクション リサーチ ダミー |
≦1cm-2 ≦30cm-2 ≦50cm-2 |
330±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
厚さ | 表面加工仕上げ |
---|---|
330±25um | Si面:CMP仕上 C面:光学鏡面仕上(ミラー) |
SiCウェハーは、シリコンに比べてバンドキャップ幅が約3倍広く、熱伝導率も約3倍高いという特性を持ってます。
また、絶縁破壊に至る電界強度も約10倍大きく、様々なパワー半導体の他、 RFアンプや発光ダイオード(LED)の基板としても使用されています。
適用範囲も格段に拡大
多くの仕入れルートを
確保しています
さまざまな製品の
提供が可能です
常にスピード提供を
こころがけています
8インチSiCウエハーは車載用途、インバーター等のパワーデバイス
装置製造において需要が急速に高まりつつあります。
MCO株式会社は2.3.4.6.8インチSiCウエハーを取り扱っており、
現在8インチSiCウエハーの安定的な供給を実現しています。
ABOUT SiC AFER
SiCウェハーとは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種で、SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」のことです。より高度な半導体デバイスを製造するために生み出されたSiCウェハーは、従来のシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。
例えば、絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍の能力があり、それだけ高い電界をかけても壊れにくいのです。 また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍あるため、熱に強い機器の製造に役立っています。
回路が高温になると、電子は熱エネルギーによってバンドギャップを越えることができますが、広いバンドギャップを越えるためには多くの熱エネルギーが必要になるため、機器の動作上限温度を向上させるメリットがあるのです。
さらに、SiCはシリコンよりも熱伝導率が高いため放熱性に優れていることも、高温に強い機器の製造に役立っています。
このような高いポテンシャルを持っているSiCウェハーは、近年の高度な電子機器の主要回路として欠かせないパワー半導体や、高輝度のLEDなどに使用されています。しかしSiCは硬くて脆い素材のため、SiCウェハーの製造には非常に高度な技術が必要で、加工に時間がかかるなどの問題点を抱えています。
現在、より生産性を向上させ市場価格を抑えるための加工技術が盛んに研究されており、将来の導入が期待されています。
下記フォームに必要事項をご記入のうえ、
送信してください。
*の項目は入力必須となっております。
エムシーオー株式会社は1994年の創業以来、シリコンウエハーの製造販売及び各種シリコンや金属水晶などの
薄膜成膜加工、石英加工、及びICファンダリの販売を行っています。迅速と信頼で皆様のご要望にお応えします。