大学・公的研究機関向け 特設調達窓口研究・開発に必要なウェハを、
研究・開発に必要なウェハを、
必要な仕様・数量で。
少量・特殊仕様の Si／SiC ウェハの調達を承ります。
公費・科研費での購入、検収センターへの直送、後払いにも対応いたします。
仕様を指定して見積もり依頼
TEL 045-324-6828平日 9:00-17:00
Procurement Comparison
研究機関のウェハ調達ルート比較
| 調達ルート | 小ロット対応 | 特殊仕様・SiC・大口径 | 支払方法 |
|---|---|---|---|
| 大手カタログ通販 | 〇 (定番品のみ) | ✕ (対応不可) | △ (手続きに手間) |
| 海外・一般EC | 〇 | △ | ✕ (クレカのみ・公費不可) |
| メーカー直販 | ✕ (25枚〜ロット) | 〇 | 〇 |
| 当社 (MCO) | 小ロットから対応 | 豊富なラインナップ | 〇 |
研究・開発用ウェハ 詳細仕様一覧
ご希望のスペックを最下部のフォーム、またはお電話にてお申し付けください。組み合わせは自由です。
Si シリコン（Si）モニターウェハ・テストウェハ
小ロットカスタム可1. 基本スペック
・サイズ： 2 / 3 / 4 / 5 / 6 / 8 / 12 インチ
・製法： CZ法 / FZ法
・結晶方位： (100)/(111)/(110)/その他
・表面状態： 片面鏡面(SSP)/両面鏡面(DSP)
2. 導電型・抵抗率
・P型(Boronドープ)： 高抵抗〜低抵抗
・N型(Phos/As/Sbドープ)： デバイス試作・条件出し用
3. 薄膜・成膜オプション
・熱酸化膜(SiO₂)
・窒化膜(Si₃N₄ / Low-Stress)
・金属膜(Al/Au/Ti/Pt/Cr/Ni/Cu等)
・ポリシリコン(Poly-Si)
SiC SiC（炭化ケイ素）ウェハ【4H-SiC】
構造的逼迫でも在庫確保1. 共通スペック
・サイズ： 3/4/6 インチ（※2インチは対象外）
・結晶構造： 4H-SiC ｜ オフ角： 4° off / 0°
・面仕上げ： 高精度 両面鏡面 CMP(DSP)仕様
2. 伝導型(タイプ)
・N-type(窒素ドープ)： パワーデバイス・MOSFET等
・Semi-Insulating(半絶縁性)： RF素子・GaN下地用
3. 追加カスタム加工
・オリフラ/ノッチ等の特殊形状加工
・インゴットからの切り出し、指定厚みへの薄化研磨
① ダミーグレード Dummy
立ち上げ・炉内条件出し・エッチングテストなど、コストを極限まで抑えたい実験に。両面CMP仕上げでご提供します。
② プロダクトグレード Product / Prime
結晶欠陥を極限まで抑えた最高品質基板。エピ成長、デバイス試作、電極形成本番に。両面CMP仕上げです。