GaN基板は現在、Blu-ray Disc向け青紫色半返体レーザの商業生産、高電流密度ハイパワーLED及び純禄色半西体レーザといったオプトデパイスや高周波デパイス、パワーデバイスなどの電子デハイス間発に広く使われている。最近ではレーサプロジェクタの実現を目指し、非揉性や半l君1生のGaN基1反を用いた青色／緑色レーザの開発も活発化している。
GaN Template (GaN on Sapphireなど）
※こちらはGaNテンプレート基盤の基本仕様となりますので、ご注意ください。
| 直径 | Φ2″、Φ3″、Φ4″、Φ6″ |
| GaN膜厚 | 3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 |
| 結晶方位 | C-axis(0001) |
| 導電タイプ | Un Dope、N-type、P-type |
| 転移密度 | ≦ 5×10⁶/cm |
| XRD | (002) ≦ 300arsec、 (102) ≦ 400arsec |
| 結晶構造 | GaN on Sapphire / GaN on Silicon / GaN on SiC |
| Sub墓板 | サファイア基坂 / シリコン基板 / SiC 基板 / GaAs基板 |
| 梱包 | クリーンルーム（クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース |
Free-Standing GaN Substrates (GaNバルク、GaN自立基板）
| Item | SF-ncA-Φ50 | SF-ncA-Φ100 |
| Dimensions | Φ2″ | Φ4″ |
| Useable Surface Area | LD Level: > 90% / LED Level: > 78% | |
| Thiclmess | 330 ± 30μm / 400 ± 30μm / 430 ± 30μm | |
| Orientation | C-axis(0001)±0.5° | |
| Orientation Flat | (1-100) ±0.5°、16 ± 2mm | (1-100) ±0.5°、32 ± 2mm |
| Secondary Orientation Flat | (11-20) ±3°、8 ± 2mm | (11-20) ±3°、16 ± 2mm |
| TTV (Total Thickness Variation) |
≦15μm | ≦30μm |
| BOW | ≦20μm | ≦80μm |
| Conduction Type | Un-doped(N-type) / N-type | |
| Resistivity (300K) |
≦ 0.5Ω・cm / ≦ 0.05Ω・cm | |
| Dislocation Density | ≦ 1×10⁶ cm⁻² | ≦ 1×10⁷ cm⁻² |
| Polishing | Front Surface: Ra < 0.3nm. Epi-ready polished Back Surface: polished |
|
| Package | Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere | |
GaN基盤とは
GaN基盤とは、GaN（窒化ガリウム）という半導体を使用した基盤です。
元々GaNは青色発光ダイオードの材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電界強度や熱伝導率の高さが注目され、近年では次世代パワー半導体の材料として応用されています。
また、バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いこともパワー半導体として有利なポイントです。
このような潜在能力の高さは以前から評価されていたものの、加工が難しいために高品質な基盤を生産することができず、信頼性を確保することが課題となっていました。
近年では経済産業省が所管するNEDOが主導して、国家レベルでGaN基盤の研究を推進しており、国内の最先端技術を持つ企業・大学・研究機関などの活動によって、2015年からは本格的にGaN基盤の量産が可能になりました。
GaNの特徴を活かし、より小型で高性能な半導体デバイスの流通が一般的になったことで、数多くの電子機器への応用により大きな成果を出し始めています。
特に、電気自動車用の電源・太陽光発電用パワーコンディショナー・ネットワークサーバーの基盤など、時代の変化により需要が増した機器への影響は多大なものがありました。
GaN基盤の需要は今後ますます高まることが予想されており、依然として課題となっているコストの削減や、高負荷の機器への応用に向けて基盤の大型化も盛んに研究されており、近い将来の実用化が期待されています。